2月13日消息，據(jù)報(bào)道，NAND閃存在2025年將繼續(xù)面臨需求疲軟和供過(guò)于求的雙重壓力。三星、SK海力士、美光等NAND閃存制造商都選擇在2025年執(zhí)行減產(chǎn)計(jì)劃。
其中三星在去年末已經(jīng)決定削減西安工廠的NAND閃存產(chǎn)量，減少10%以上，另外還調(diào)低了韓國(guó)華城12號(hào)和17號(hào)生產(chǎn)線的產(chǎn)量，以進(jìn)一步降低整體產(chǎn)量。
當(dāng)前，存儲(chǔ)器市場(chǎng)，尤其是NAND閃存領(lǐng)域，似乎正步入一個(gè)低迷階段。自2024年第三季度以來(lái)，NAND閃存價(jià)格持續(xù)下滑，這一趨勢(shì)使得供應(yīng)商對(duì)2025年上半年的市場(chǎng)需求前景持悲觀態(tài)度。
長(zhǎng)期的價(jià)格疲軟無(wú)疑將進(jìn)一步壓縮企業(yè)的利潤(rùn)空間，為此，三星與SK海力士均選擇在2025年第一季度實(shí)施更為激進(jìn)的減產(chǎn)措施，將NAND閃存產(chǎn)量削減幅度提高至10%以上。
此外，減產(chǎn)背后還隱藏著另一個(gè)重要原因——“技術(shù)遷移”。隨著技術(shù)的不斷進(jìn)步，部分舊的NAND閃存生產(chǎn)線正逐步升級(jí)到更為先進(jìn)的工藝。
在升級(jí)過(guò)渡期間，這些設(shè)備將暫時(shí)處于非活動(dòng)狀態(tài)，從而導(dǎo)致產(chǎn)量和出貨量的自然減少。以三星為例，該公司正積極用176層、238層和286層等新型號(hào)產(chǎn)品取代原有的128層產(chǎn)品；而SK海力士亦將重心轉(zhuǎn)向238層和321層產(chǎn)品的研發(fā)與生產(chǎn)。
值得注意的是，三星和SK海力士的減產(chǎn)舉措也被視為對(duì)新興競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手長(zhǎng)江存儲(chǔ)（YMTC）的一種應(yīng)對(duì)策略。據(jù)上月報(bào)道，長(zhǎng)江存儲(chǔ)已成功推出第五代3D TLC NAND閃存，其擁有294層堆疊結(jié)構(gòu)及232個(gè)有源層，無(wú)論在密度還是總層數(shù)方面均已達(dá)到業(yè)界領(lǐng)先水平。
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