8月15日消息，大家都知道，晶體管是集成電路的基本單元，是如今時代不可或缺的元件之一。
晶體管能夠調(diào)控由電子或空穴等載流子形成電流的大小，通常載流子與周圍環(huán)境處于熱平衡狀態(tài)，稱為“穩(wěn)態(tài)”；但通過電場加速等方法，可以提升載流子的能量，使其成為“熱載流子”。
如果能夠有效操控這種高能的熱載流子，并提高其濃度，將有望進一步提升晶體管的速度和功能。
近日，中國科學院金屬研究所通過使用石墨烯等材料，發(fā)明了一種“受激發(fā)射”新型熱載流子生成機制，并構(gòu)建了“熱發(fā)射極”晶體管，得到了一種既可以降低功耗又具有“負電阻”功能的晶體管，有望用于設(shè)計集成度更高、功能更豐富的集成電路。
據(jù)了解，此次研究成果新型晶體管由兩個耦合的“石墨烯/鍺”肖特基結(jié)組成。
載流子由石墨烯基極注入，隨后擴散到發(fā)射極，并激發(fā)出受電場加熱的載流子，從而導致電流急劇增加。
這一設(shè)計實現(xiàn)了低于1 mV/dec的亞閾值擺幅，突破了傳統(tǒng)晶體管的玻爾茲曼極限（60 mV/dec）。
此外，該晶體管在室溫下還表現(xiàn)出峰谷電流比超過100的負微分電阻，展示出其在多值邏輯計算中的應用潛力。
該工作開辟了晶體管器件研究的新領(lǐng)域，為熱載流子晶體管家族增添了新成員，并有望推動其在未來低功耗、多功能集成電路中廣泛應用。
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